Número de pieza del fabricante | 1N457 |
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Número de parte futuro | FT-1N457 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N457 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 70V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 20mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25nA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N457 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N457-FT |
BAS5202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS3005A02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT5402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS3005B02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS1602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS5202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAS 16-02V E6327
Infineon Technologies
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel