casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4448,133
Número de pieza del fabricante | 1N4448,133 |
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Número de parte futuro | FT-1N4448,133 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4448,133 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | ALF2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 200°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448,133 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4448,133-FT |
FESF8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel