Número de pieza del fabricante | 1N4152 |
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Número de parte futuro | FT-1N4152 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4152 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 880mV @ 20mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50nA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4152 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4152-FT |
IDL02G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL04G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL06G65C5XUMA1
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IDL08G65C5XUMA1
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IDL10G65C5XUMA1
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IDL12G65C5XUMA1
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GB01SLT12-214
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GAP3SLT33-214
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GB01SLT06-214
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GB02SLT12-214
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XC7A75T-1FTG256I
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A54SX16A-1PQ208M
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A3PN060-Z2VQG100
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AT40K10-2EQI
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
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LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
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