casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4150W-HE3-08
Número de pieza del fabricante | 1N4150W-HE3-08 |
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Número de parte futuro | FT-1N4150W-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4150W-HE3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150W-HE3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4150W-HE3-08-FT |
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60CPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60CPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60CPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel