casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4150W-G3-18
Número de pieza del fabricante | 1N4150W-G3-18 |
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Número de parte futuro | FT-1N4150W-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4150W-G3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150W-G3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4150W-G3-18-FT |
VS-20ATS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MI3035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MI3045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
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EP1S40F780I6
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EP1SGX40GF1020C6
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