casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4150TR
Número de pieza del fabricante | 1N4150TR |
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Número de parte futuro | FT-1N4150TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4150TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 300mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 200mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4150TR-FT |
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34C-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34CHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34CHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34F-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel