casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4150TAP
Número de pieza del fabricante | 1N4150TAP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N4150TAP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4150TAP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150TAP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4150TAP-FT |
BYM07-50HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34C-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel