casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4150TAP
Número de pieza del fabricante | 1N4150TAP |
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Número de parte futuro | FT-1N4150TAP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4150TAP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 150mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150TAP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4150TAP-FT |
BYM07-50HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34C-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation