casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N4007E-E3/73
Número de pieza del fabricante | 1N4007E-E3/73 |
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Número de parte futuro | FT-1N4007E-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4007E-E3/73 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4007E-E3/73 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4007E-E3/73-FT |
U2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2C-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2C-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2D-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
U2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH2B-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel