Número de pieza del fabricante | 1N3879R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N3879R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3879R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.4V @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 200ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 15µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3879R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3879R-FT |
MBRH15040L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH15045L
GeneSiC Semiconductor
MBRH15045RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20020L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20020RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20030L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20035L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20035RL
GeneSiC Semiconductor
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel