Número de pieza del fabricante | 1N3767 |
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Número de parte futuro | FT-1N3767 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3767 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 900V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 35A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 190°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3767 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3767-FT |
1N6639US
Microsemi Corporation
1N6640
Microsemi Corporation
1N6641
Microsemi Corporation
1N6641US
Microsemi Corporation
1N6642
Microsemi Corporation
1N6643
Microsemi Corporation
AIDW10S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW12S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW16S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW20S65C5XKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel