Número de pieza del fabricante | 1N3767 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N3767 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3767 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 900V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 35A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 190°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3767 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3767-FT |
1N6639US
Microsemi Corporation
1N6640
Microsemi Corporation
1N6641
Microsemi Corporation
1N6641US
Microsemi Corporation
1N6642
Microsemi Corporation
1N6643
Microsemi Corporation
AIDW10S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW12S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW16S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AIDW20S65C5XKSA1
Infineon Technologies
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation