Número de pieza del fabricante | 1N3744R |
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Número de parte futuro | FT-1N3744R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3744R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 250A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AB, DO-9, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3744R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3744R-FT |
PMEG2005AEAF
Nexperia USA Inc.
PMEG2010EAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EJF
Nexperia USA Inc.
PMEG3010BEAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG4005AEAF
Nexperia USA Inc.
PMEG4005AEAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG6010CEJF
Nexperia USA Inc.
S4KW16KA-4
Semtech Corporation
S4KW4KA-1
Semtech Corporation
SMAJ5817E3/TR13
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel