casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / 1N3350B
Número de pieza del fabricante | 1N3350B |
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Número de parte futuro | FT-1N3350B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3350B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 200V |
Tolerancia | ±5% |
Potencia - max | 50W |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 152V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 10A |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3350B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3350B-FT |
1N3341RB
Microsemi Corporation
1N3342B
Microsemi Corporation
1N3342RB
Microsemi Corporation
1N3343B
Microsemi Corporation
1N3343RB
Microsemi Corporation
1N3344RB
Microsemi Corporation
1N3345B
Microsemi Corporation
1N3345RB
Microsemi Corporation
1N3346A
Microsemi Corporation
1N3346B
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel