Número de pieza del fabricante | 1N3290 |
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Número de parte futuro | FT-1N3290 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3290 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 100A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 100A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 24mA @ 300V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AA, DO-8, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3290 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3290-FT |
VS-31DQ05TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-31DQ06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-31DQ06TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR340
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR340TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR350
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR350TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR360
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR360TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25FR60
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel