Número de pieza del fabricante | 1N3275R |
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Número de parte futuro | FT-1N3275R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3275R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 160A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 12mA @ 1400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AB, DO-9, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3275R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3275R-FT |
MBR2050FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel