Número de pieza del fabricante | 1N3269 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N3269 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3269 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 160A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 12mA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AB, DO-9, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3269 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3269-FT |
DB2S20900L
Panasonic Electronic Components
DB2S40600L
Panasonic Electronic Components
DB3X201K0L
Panasonic Electronic Components
IDC73D120T6MX1SA2
Infineon Technologies
MBR18045E3/TU
Microsemi Corporation
MBR20100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20200FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2040CTE3/TU
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel