Número de pieza del fabricante | 1N3261R |
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Número de parte futuro | FT-1N3261R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3261R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 160A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 12mA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-205AB, DO-9, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3261R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3261R-FT |
VS-VSKE320-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA310SHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA310SHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
1PS76SB10Z
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21F
Nexperia USA Inc.
1PS76SB21Z
Nexperia USA Inc.
BAT760F
Nexperia USA Inc.
BAT760Z
Nexperia USA Inc.
DA2610100L
Panasonic Electronic Components
DB2631100L
Panasonic Electronic Components
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel