Número de pieza del fabricante | 1N3212R |
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Número de parte futuro | FT-1N3212R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3212R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 15A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3212R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3212R-FT |
B360BE-13
Diodes Incorporated
B360CE-13
Diodes Incorporated
B370BE-13
Diodes Incorporated
B370CE-13
Diodes Incorporated
B380BE-13
Diodes Incorporated
B380CE-13
Diodes Incorporated
B390BE-13
Diodes Incorporated
B390CE-13
Diodes Incorporated
B520CE-13
Diodes Incorporated
B530CE-13
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel