Número de pieza del fabricante | 1N3211R |
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Número de parte futuro | FT-1N3211R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3211R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 15A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3211R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3211R-FT |
B350BE-13
Diodes Incorporated
B350CE-13
Diodes Incorporated
B360BE-13
Diodes Incorporated
B360CE-13
Diodes Incorporated
B370BE-13
Diodes Incorporated
B370CE-13
Diodes Incorporated
B380BE-13
Diodes Incorporated
B380CE-13
Diodes Incorporated
B390BE-13
Diodes Incorporated
B390CE-13
Diodes Incorporated
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel