Número de pieza del fabricante | 1N1205B |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N1205B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1205B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | - |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1205B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N1205B-FT |
JAN1N5802URS
Microsemi Corporation
JAN1N5804URS
Microsemi Corporation
JAN1N5809URS
Microsemi Corporation
10ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel