Número de pieza del fabricante | 1N1200A |
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Número de parte futuro | FT-1N1200A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1200A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 12A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 12A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1200A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N1200A-FT |
MBRH30035L
GeneSiC Semiconductor
MBRH30035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH30040L
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MBRH30040RL
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MBRH30045RL
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GB20SLT12-247
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GB50SLT12-247
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GB05SLT12-252
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GB02SHT06-46
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XCS20XL-4TQG144I
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XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FG144
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AGLE600V5-FG256
Microsemi Corporation
ICE40HX4K-BG121
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EP20K1000EFC672-1
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EP3C25U256C7
Intel
5SGSMD5H2F35I2LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation