Número de pieza del fabricante | 1N1200A |
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Número de parte futuro | FT-1N1200A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1200A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 12A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 12A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-4 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1200A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N1200A-FT |
MBRH30035L
GeneSiC Semiconductor
MBRH30035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH30040L
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MBRH30040RL
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MBRH30045RL
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GB20SLT12-247
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GB50SLT12-247
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GB05SLT12-252
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GB02SHT06-46
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A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel