Número de pieza del fabricante | 1N1186 |
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Número de parte futuro | FT-1N1186 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1186 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 35A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-5 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 190°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1186 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N1186-FT |
B2100AE-13
Diodes Incorporated
B2100BE-13
Diodes Incorporated
B220BE-13
Diodes Incorporated
B230BE-13
Diodes Incorporated
B240BE-13
Diodes Incorporated
B245BE-13
Diodes Incorporated
B250BE-13
Diodes Incorporated
B260BE-13
Diodes Incorporated
B270AE-13
Diodes Incorporated
B270BE-13
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel