Número de pieza del fabricante | 1N1183 |
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Número de parte futuro | FT-1N1183 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N1183 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 35A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-203AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 190°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1183 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N1183-FT |
B180AE-13
Diodes Incorporated
B180BE-13
Diodes Incorporated
B190AE-13
Diodes Incorporated
B190BE-13
Diodes Incorporated
B2100AE-13
Diodes Incorporated
B2100BE-13
Diodes Incorporated
B220BE-13
Diodes Incorporated
B230BE-13
Diodes Incorporated
B240BE-13
Diodes Incorporated
B245BE-13
Diodes Incorporated
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel