Número de pieza del fabricante | 1A5-AP |
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Número de parte futuro | FT-1A5-AP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1A5-AP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 40V |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R-1 (Axial) |
Paquete del dispositivo del proveedor | R-1 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1A5-AP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1A5-AP-FT |
S6B
GeneSiC Semiconductor
S6BR
GeneSiC Semiconductor
S6D
GeneSiC Semiconductor
S6DR
GeneSiC Semiconductor
S6G
GeneSiC Semiconductor
S6GR
GeneSiC Semiconductor
S6J
GeneSiC Semiconductor
S6JR
GeneSiC Semiconductor
S6K
GeneSiC Semiconductor
S6KR
GeneSiC Semiconductor
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Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel