casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 183NQ080
Número de pieza del fabricante | 183NQ080 |
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Número de parte futuro | FT-183NQ080 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
183NQ080 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 180A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 180A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4.5mA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | D-67 HALF-PAK |
Paquete del dispositivo del proveedor | HALF-PAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
183NQ080 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 183NQ080-FT |
VS-1N1203A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1204RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N1205A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3670A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3671RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3672A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3673RA
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3879
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1N3879R
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation