casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1269AS-H-3R3M=P2
Número de pieza del fabricante | 1269AS-H-3R3M=P2 |
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Número de parte futuro | FT-1269AS-H-3R3M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252010C |
1269AS-H-3R3M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.5A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1269AS-H-3R3M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1269AS-H-3R3M=P2-FT |
LQG15WZ5N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ5N1S02D
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LQG15WZ5N6C02D
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LQG15WZ5N6S02D
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LQG15WZ6N2C02D
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LQG15WZ6N2S02D
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LQG15WZ6N8H02D
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LQG15WZ6N8J02D
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LQG15WZ7N5H02D
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LQG15WZ7N5J02D
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EP1C6T144C7N
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XA6SLX75-3FGG484Q
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XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
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5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
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EP2AGX125EF35C6
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EP2AGZ350FF35I3N
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