casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1229AS-H-6R8M=P3
Número de pieza del fabricante | 1229AS-H-6R8M=P3 |
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Número de parte futuro | FT-1229AS-H-6R8M=P3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1229AS-H-6R8M=P3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 6.8µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.2A |
Corriente - Saturación | 900mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 192 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.146" L x 0.154" W (3.70mm x 3.90mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1229AS-H-6R8M=P3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1229AS-H-6R8M=P3-FT |
DFEG7030D-1R5M=P3
Murata Electronics North America
DFEG7030D-2R2M=P3
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XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
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EPF81188AQC240-4
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