casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 11LC161T-I/MNY
Número de pieza del fabricante | 11LC161T-I/MNY |
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Número de parte futuro | FT-11LC161T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11LC161T-I/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 100kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Single Wire |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC161T-I/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 11LC161T-I/MNY-FT |
W25Q128FWEIG
Winbond Electronics
W25Q80JVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q128JVPIM
Winbond Electronics
M95320-DRMF3TG/K
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LE25U20AQGTXG
ON Semiconductor
11AA010T-I/MNY
Microchip Technology
11LC010T-I/MNY
Microchip Technology
24LC014T-I/MNY
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24VL014T/MNY
Microchip Technology
24AA02T-I/MNY
Microchip Technology
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
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10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel