casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 11LC161T-E/MNY
Número de pieza del fabricante | 11LC161T-E/MNY |
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Número de parte futuro | FT-11LC161T-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11LC161T-E/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 100kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Single Wire |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC161T-E/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 11LC161T-E/MNY-FT |
W25Q128JVEIQ
Winbond Electronics
W25Q128FWEIG
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W25Q128JVPIM
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M95320-DRMF3TG/K
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11AA010T-I/MNY
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11LC010T-I/MNY
Microchip Technology
24LC014T-I/MNY
Microchip Technology
24VL014T/MNY
Microchip Technology
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
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EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
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LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel