casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 11LC080T-E/MNY
Número de pieza del fabricante | 11LC080T-E/MNY |
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Número de parte futuro | FT-11LC080T-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11LC080T-E/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frecuencia de reloj | 100kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Single Wire |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC080T-E/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 11LC080T-E/MNY-FT |
M95512-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
W25Q16FWZPIQ
Winbond Electronics
W25X40CLZPIG
Winbond Electronics
W25Q80EWZPIG
Winbond Electronics
W25Q128JVEIQ
Winbond Electronics
W25Q128FWEIG
Winbond Electronics
W25Q80JVZPIQ
Winbond Electronics
W25Q128JVPIM
Winbond Electronics
M95320-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
LE25U20AQGTXG
ON Semiconductor
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel