casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 11LC080-E/P
Número de pieza del fabricante | 11LC080-E/P |
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Número de parte futuro | FT-11LC080-E/P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11LC080-E/P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frecuencia de reloj | 100kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Single Wire |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC080-E/P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 11LC080-E/P-FT |
24LC64F-I/P
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11LC040-I/P
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93LC56B/P
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23K640-I/P
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25LC160-I/P
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24FC512-I/P
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24LC21/P
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24AA256UID-I/P
Microchip Technology
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel