casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 11LC010T-E/MNY
Número de pieza del fabricante | 11LC010T-E/MNY |
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Número de parte futuro | FT-11LC010T-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11LC010T-E/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 100kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Single Wire |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC010T-E/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 11LC010T-E/MNY-FT |
M24C08-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24C16-DRMF3TG/K
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M24C64-DRMF3TG/K
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W25Q128JVEIQ
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M2GL025TS-1FCSG325I
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AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
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EP3SL70F484I3N
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5SGXMB9R3H43C3N
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XC5VSX240T-2FF1738CES
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XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation