casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1120-4R7M
Número de pieza del fabricante | 1120-4R7M |
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Número de parte futuro | FT-1120-4R7M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1120 |
1120-4R7M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 11.4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.810" Dia (20.57mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1120-4R7M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1120-4R7M-FT |
1130-821K-RC
Bourns Inc.
1130-8R2M-RC
Bourns Inc.
1130-272K-RC
Bourns Inc.
1130-100K
Bourns Inc.
1130-101K
Bourns Inc.
1130-102K
Bourns Inc.
1130-120K
Bourns Inc.
1130-121K
Bourns Inc.
1130-122K
Bourns Inc.
1130-150K
Bourns Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel