casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1120-3R9M
Número de pieza del fabricante | 1120-3R9M |
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Número de parte futuro | FT-1120-3R9M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1120 |
1120-3R9M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 3.9µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 11.4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.810" Dia (20.57mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1120-3R9M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1120-3R9M-FT |
1130-820K-RC
Bourns Inc.
1130-821K-RC
Bourns Inc.
1130-8R2M-RC
Bourns Inc.
1130-272K-RC
Bourns Inc.
1130-100K
Bourns Inc.
1130-101K
Bourns Inc.
1130-102K
Bourns Inc.
1130-120K
Bourns Inc.
1130-121K
Bourns Inc.
1130-122K
Bourns Inc.
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel