casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1120-1R2M
Número de pieza del fabricante | 1120-1R2M |
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Número de parte futuro | FT-1120-1R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1120 |
1120-1R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 11.4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.810" Dia (20.57mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1120-1R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1120-1R2M-FT |
1130-1R0M-RC
Bourns Inc.
1130-1R2M-RC
Bourns Inc.
1130-220K-RC
Bourns Inc.
1130-222K-RC
Bourns Inc.
1130-270K-RC
Bourns Inc.
1130-2R7M-RC
Bourns Inc.
1130-390K-RC
Bourns Inc.
1130-391K-RC
Bourns Inc.
1130-3R3M-RC
Bourns Inc.
1130-470K-RC
Bourns Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation