casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1110-8R2M
Número de pieza del fabricante | 1110-8R2M |
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Número de parte futuro | FT-1110-8R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1110 |
1110-8R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 9A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-8R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1110-8R2M-FT |
1120-681K-RC
Bourns Inc.
1120-6R8M-RC
Bourns Inc.
1120-100K
Bourns Inc.
1120-120K
Bourns Inc.
1120-121K
Bourns Inc.
1120-122K
Bourns Inc.
1120-150K
Bourns Inc.
1120-180K
Bourns Inc.
1120-181K
Bourns Inc.
1120-182K
Bourns Inc.
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation