casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / 1110-3R3M
Número de pieza del fabricante | 1110-3R3M |
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Número de parte futuro | FT-1110-3R3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1110 |
1110-3R3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 9A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-3R3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1110-3R3M-FT |
1120-182K-RC
Bourns Inc.
1120-1R0M-RC
Bourns Inc.
1120-220K-RC
Bourns Inc.
1120-222K-RC
Bourns Inc.
1120-270K-RC
Bourns Inc.
1120-330K-RC
Bourns Inc.
1120-331K-RC
Bourns Inc.
1120-390K-RC
Bourns Inc.
1120-3R3M-RC
Bourns Inc.
1120-3R9M-RC
Bourns Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel