Número de pieza del fabricante | 10ETS12 |
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Número de parte futuro | FT-10ETS12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
10ETS12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETS12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 10ETS12-FT |
VS-15ETH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETU12T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5TX3012-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3007T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation