Número de pieza del fabricante | 10BQ060 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-10BQ060 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
10BQ060 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 600mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | 62pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AA, SMB |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10BQ060 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 10BQ060-FT |
S2DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2J-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2K-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2K-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel