Número de pieza del fabricante | 10A07-T |
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Número de parte futuro | FT-10A07-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
10A07-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 10A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R6, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | R-6 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10A07-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 10A07-T-FT |
BAS70Q-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-7-F
Diodes Incorporated
BAT54CQ-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448W-7-F
Diodes Incorporated
BAL99-7
Diodes Incorporated
BAL99TA
Diodes Incorporated
BAR99TA
Diodes Incorporated
BAS116
Diodes Incorporated
BAS16-7
Diodes Incorporated
BAS16TA
Diodes Incorporated
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel