casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / RS07D-GS08
Número de pieza del fabricante | RS07D-GS08 |
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Número de parte futuro | FT-RS07D-GS08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS07D-GS08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 500mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 700mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-219AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-219AB (SMF) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS07D-GS08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RS07D-GS08-FT |
SE10DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel