casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / PSMN009-100B,118
Número de pieza del fabricante | PSMN009-100B,118 |
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Número de parte futuro | FT-PSMN009-100B,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PSMN009-100B,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 156nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8250pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 230W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN009-100B,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PSMN009-100B,118-FT |
BUK761R4-30E,118
NXP USA Inc.
BUK761R6-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK761R7-40E/GFJ
NXP USA Inc.
BUK761R8-30C,118
NXP USA Inc.
BUK7620-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK7624-55,118
NXP USA Inc.
BUK7624-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7628-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK7628-100A/C,118
NXP USA Inc.
BUK7628-55A,118
NXP USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel