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ON Semiconductor NTP8G202NG

Número de pieza de MFG
NTP8G202NG
Cantidad disponible
10070 Piezas
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USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-NTP8G202NG
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTP8G202NG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 760pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTP8G202NG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto NTP8G202NG-FT

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