casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W256GL7AN6E
Número de pieza del fabricante | M29W256GL7AN6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W256GL7AN6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W256GL7AN6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W256GL7AN6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W256GL7AN6E-FT |
M29F400FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM62
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6T2
Micron Technology Inc.
M29F400FB5AM6T2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M32
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F400FT55M3T2 TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel