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Número de pieza del fabricante | LAL03NAR82M |
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Número de parte futuro | FT-LAL03NAR82M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03NAR82M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 290mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 740 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 170MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03NAR82M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL03NAR82M-FT |
LAL02VD820K
Taiyo Yuden
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Intel
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
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Lattice Semiconductor Corporation
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