casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE252012P-R47M=P2
Número de pieza del fabricante | DFE252012P-R47M=P2 |
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Número de parte futuro | FT-DFE252012P-R47M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012P |
DFE252012P-R47M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 470nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 4A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 21 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012P-R47M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE252012P-R47M=P2-FT |
LQG15WZ1N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2S02D
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LQG15WZ1N3C02D
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LQG15WZ1N3S02D
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LQG15WZ1N5C02D
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LQG15WZ1N5S02D
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LQG15WZ1N6C02D
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LQG15WZ1N6S02D
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LQG15WZ1N8C02D
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LQG15WZ1N8S02D
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LCMXO1200C-4T100I
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XCV800-5FG676C
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M1A3P600-FG256I
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A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel